AlGaNGaN相关论文
第五代移动通信技术随着5G商业化而更加广泛的被使用,更好地服务于我们的日常工作与生活,增强了人与人、人与物、物与物的通信与连......
随着器件工艺尺寸的缩小,应变技术在硅基器件性能提升方面成为了重要手段之一。信息通信技术迅猛发展,推动半导体器件向高功率高频......
半导体功率器件是半导体领域不可缺少的一部分,半导体材料经过几十年的飞速发展,已经迭代到了第三代。其中的GaN因为具有大的禁带......
基于Al GaN/GaN HEMT工艺的射频功率放大器芯片,因为其良好的性能被广泛应用于各种先进设备中。但是作为功率器件,高温对器件性能......
We demonstrated an AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) namely double-Vth coupling HEMT(DVC-HEMT) fabricat......
相比于传统Si基功率MOSFET,AlGaN/GaN HEMT具有更强的沟道导电能力、更小的寄生电容（CISS和COSS）,且不存在由寄生体二极管引入的反向......
Ⅲ族氮化物半导体材料由于其大的禁带宽度、高电子饱和速度、耐高温、耐击穿和抗辐射等优异的物理化学特性,在高温、高频、大功率......
氮化镓（GaN）材料具有宽禁带、高临界击穿场强、高饱和电子速度、抗腐蚀性强,耐高温等优秀特性,使其成为第三代半导体材料中的佼佼者......
The uniform distribution model of the surface donor states in AlGaN/GaN heterostructures has been widely used in the the......
为了改善传统AlGaN/GaN HEMT器件的表面电场、温度分布,提升器件击穿电压和稳定性,提出了一种具有均匀凹槽势垒(UGB)的新型AlGaN/G......
报告了研制的AlGaN/GaN微波功率HEMT,该器件采用以蓝宝石为衬底的非掺杂AlGaN/GaN异质结构,器件工艺采用Ti/Al/Ni/Au欧姆接触和Ni/......
Effect of a polarized P(VDF-TrFE)ferroelectric polymer gating on AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobil......
AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) exhibit great potential for high-frequency and high-power microwave......
报告了研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs.器件研制中采用凹槽栅和场调制板结构,有效抑制了电流崩塌并提高了器件的击穿电......
本文首次报道总栅宽为1.6mm AlGaN/GaN HEMT功率器件研制.器件最大源漏电流密度接近1A/mm,器件的跨导最大198ms/mm,开态下的击穿电......
本文基于国产2英寸AlGaN/GaN材料,对2英寸AlGaN/GaN HEMT工艺进行了研究,成功地开发出成套2英寸AlGaN/GaN HEMT功率器件工艺.其关......
本文对基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN HEMTs功率器件自激振荡现象进行了分析,器件的反向增益对器件的稳定性影响较大,稳定性的提高需......
本文通过自洽求解Poisson-Schrodinger方程,实现了对AlGaN/GaN HEMT的二维静态模拟,详细阐述了极化效应及界面极化电荷的数值方法.......
提出了一种将极化效应引入GaN基异质结器件模拟中的方法.通过在异质结界面插入a掺杂层,利用其离化的施主或受主充当极化产生的固定......
AlGaN/GaN HEMTs are attracting considerable attention as high temperature,high-power and high-frequency devices for rada......
AlGaN/GaN异质结制作Ni肖特基接触之后,将样品在N2氛围下进行600℃热退火,退火时间分别为0.5h,4.5h,10.5h,18h,33h,48h,72h.测量样......
用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlN/GaN周期结构极化感应二维电子气材料.所......
AlGaN/GaN HEMT作为一种新材料、新结构器件是目前微电子领域的一个研究热点,国内在材料和器件研制方面都取得了一定进展.本文介绍......
本文将生长在铜片上的石墨烯转移到AlGaN/GaN 异质结表面,氟化绝缘后,利用水基ALD石墨烯上生长high k 方法1,制备了以Al2O3 作为栅......
制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的AlGaN/GaN异质结紫外探测器，探测器采用Ni/Au金属作为电极。实验研究了探测器的光电响应特性和I......
随着科学技术的高速进步,以GaN为代表的第三代半导体材料凭借其高禁带宽度、高电子饱和速度、良好的工作稳定性等优点,在高温大功......
Ultra-thin barrier(UTB)4-nm-AlGaN/GaN normally-off high electron mobility transistors(HEMTs)having a high current gain c......
本文利用掠入射同步辐射X射线衍射(GIXD)技术测量和表征了AlGaN/GaN异质结构的微应变状态....
Ultra-thin barrier (UTB) 4-nm-AlGaN/GaN normally-off high electron mobility transistors (HEMTs) having a high current ga......
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A method for introducing polarization effects in the simulation of GaN-based heterojunction devices is proposed. A δ do......
The thermal stability of F ion-implanted isolated AlGaN/GaN heterostructures was investigated,with B ion-implanted isola......
报道了在光照下具有高跨导值(高达64mS/mm)的1μm栅 Al_(0.15)Ga_(0.85)N/GaN 异质结构场效应晶体管(HFET),解释了光照下器件跨导......
用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为 10 35 cm2 /(V· s) ,二维电子气浓度为 1.0× 10 1 3cm- 2 ,77K迁移率为 2 6 5 3cm2 ......
制作了蓝宝石衬底上生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管.0V栅压下,0·3μm栅长、100μm栅宽的器件的饱和漏电流密度为0·85A/mm,峰......
报道了蓝宝石衬底、栅长为0.3μm AlGaN/GaN HEMT器件的制备,在未采用散热设备的条件下测得栅宽为100μm器件的饱和电流为55.9mA,......
用MOCVD技术在蓝宝石衬底上制备出具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/GaNHEMT材料.高迁移率GaN外延层的室温迁移率达741cm2/(V·s),相......
在蓝宝石衬底上用MOCVD技术生长的AlGaN/GaN结构上制作出0.25μm栅长的高电子迁移率功率晶体管.0.25μm栅长的单指器件测到峰值跨......
用MOCVD技术在高阻6H-SiC衬底上研制出了具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料,其室温和80K时......
本文在高电子迁移率晶体管(HEMT)小信号等效电路模型的基础上,考虑了AlGaN/GaNHEMT的结构特性,具体分析了寄生参数和本征参数的提......
在蓝宝石衬底上制作AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管.由于使用了一种全新的T形栅电子束曝光版图,因此可以自由地改变T形栅的宽窄比(T......
成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT.栅长1.2μm,源漏间距4μm,槽深15nm的器件在3V栅压下饱和电流达到332mA/mm,最大......
采用Ti/Al/Ni/Au多层金属体系在Al0.27Ga0.73N/GaN异质结构上制备了欧姆接触.分别采用线性传输线方法(LTLM)和圆形传输线方法(CTLM......
采用原子层淀积(ALD),实现超薄(3.5nm)Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).新型AlGaN/......
首先通过一维自洽求解薛定谔/泊松方程,研究了AlGaN/GaN双异质结构中AlGaN背势垒层Al组分和厚度对载流子分布特性的影响.其次利用......
